原因
除了ic過多，當IGBT處於關斷狀態時，如果集電極電源電壓過高，T1管的漏電流過大，Rbr上的壓降可能過高，使T2導通，產生保持效應。
可能發生鎖定效應的第三種情況是，在關斷過程中，MOSFET會非常快地關斷。MOSFET關斷後，圖1(b)中晶體管T2 J2結的反向偏置電壓UBA增加。MOSFET關斷越快，集電極電流ic下降越快，UCA = es-r IC上升越快。duCA/dt越大，J2結電容電流C2越高。這個結電容電流通過A點流經Rbr，可能產生較大的壓降UAE，使T2導通，產生保持效應，使IGBT失控關斷。
產生持留效應的原因可能是集電極電流過大(靜態持留效應)或者是duce/dt過大(動態持留效應)，溫度升高也會加劇持留效應的風險。抱團效應曾經是限制IGBT當前產能進壹步提升的主要因素之壹，但經過多年努力，這壹問題自上世紀90年代中後期以來有了很大改善，促進了IGBT科研制造水平的提升。
預防的
為了防止關斷過程中的閂鎖效應，壹方面要在IGBT的集電極C和發射極E之間並聯壹個電容來降低關斷過程中的duCE/dt，同時可以考慮圖1(b)中柵極驅動電路的電阻RG來適當減緩MOSFET的關斷過程。這種措施被稱為慢關斷技術。